半导体结构及其制造方法

摘要

本发明提供了在V形槽上形成的晶体管的结构和方法。V形槽包含通过脊而接合的两个晶面。所述面具有与半导体衬底通常提供的取向不同的晶向，半导体衬底通常提供的取向例如衬底取向或垂直于衬底取向的取向。与现有技术不同，V形槽形成得自对准于所述浅沟槽隔离，消除了将V形槽与光刻装置对准的需求。新面的电性能，尤其提高的载流子的迁移率被用于提高晶体管的性能。在具有在被接合从而形成V形轮廓的面上的沟道的晶体管中，电流在接合所述面的脊的方向上流动，避免了在所述电流的方向上的弯折。

主权项

1.一种半导体结构，包括：具有衬底取向的半导体衬底；具有脊和半导体材料的第一晶面和第二晶面的V形槽，其中所述V形槽通过浅沟槽隔离而定界并且所述第一晶面和第二晶面通过所述脊而接合；位于所述V形槽下面的沟道，所述沟道邻接部分所述脊、部分所述第一晶面、和部分所述第二晶面；邻接所述沟道并且位于所述脊上的源极；邻接所述沟道而且不邻接所述源极且位于所述脊上的漏极；邻接并且位于所述沟道上方的栅极电介质；和邻接所述栅极电介质并且不邻接所述沟道、所述源极和所述漏极的栅极导体。