形成抗蚀图案的方法、半导体器件及其生产方法

摘要

本发明的目的是提供一种形成抗蚀图案的方法，其中ArF准分子激光可用作图案化的曝光光源，抗蚀图案可不依赖于抗蚀图案尺寸稳定地增厚到预定厚度，且微小空间图案的精细度可超过曝光设备的曝光或分辨率的极限。本发明的形成抗蚀图案的方法至少包括：形成抗蚀图案，涂覆抗蚀图案增厚材料以覆盖该抗蚀图案的表面，焙烘该抗蚀图案增厚材料，显影和分离该抗蚀图案增厚材料，其中涂覆、焙烘和显影步骤中的至少一个步骤被执行多次。

主权项

1.一种形成抗蚀图案的方法，至少包括：形成抗蚀图案，涂覆抗蚀图案增厚材料以覆盖所述抗蚀图案的表面，所述抗蚀图案增厚材料包括至少一种树脂和由如下所示通式(1)表示的化合物，焙烘所述抗蚀图案增厚材料，和显影并分离所述抗蚀图案增厚材料，其中涂覆、焙烘和显影步骤中的至少一个步骤被执行多次；通式(1)通式(1)中，“X”表示由下列结构式(1)表示的官能团；“Y”表示羟基、氨基、烷基取代的氨基、烷氧基、烷氧羰基和烷基中的至少一种，其中的取代数为0至3的整数；“m”表示1或1以上的整数，“n”表示0或0以上的整数；结构式(1)结构式(1)中，“R¹”和“R²”可以是相同的或不同的，各自表示氢原子或取代基；“Z”表示羟基、氨基、烷基取代的氨基和烷氧基中的至少一种，其中的取代数为0至3的整数。