一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件

摘要

本发明公开了一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件，其包括衬底及层叠于衬底之上的半导体外延层，该半导体外延叠层包含N型层、发光层和P型层，P型层上设置有P型电极，部分半导体外延叠层被刻蚀至N型层，露出的部分N型层上设置有N型电极，其中，在发光二极管芯片的边缘设有贯穿于半导体外延叠层的二维光子晶体结构，该光子晶体是由电介质常数呈周期性变化的介质柱构成。本发明可以抑制发光二极管侧向的出光，有效地提高正面的出光效率。另外，本发明还提供了利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件的制造方法。

主权项

1.一种利用光子晶体结构抑制侧向出光的发光二极管器件，其包括衬底(1)及层叠于衬底(1)之上的半导体外延层，该半导体外延叠层包含N型层(3)、发光层(4)和P型层(5)，P型层(5)上设置有P型电极(8)，部分半导体外延叠层被刻蚀至N型层(3)，露出的部分N型层(3)上设置有N型电极(9)，其特征在于：在发光二极管芯片的边缘设有贯穿于半导体外延叠层的二维光子晶体结构，该光子晶体是由电介质常数呈周期性变化的介质柱(6)构成。