磁存储介质及其制造方法

摘要

本发明涉及一种磁存储介质及其制造方法，该磁存储介质由碳纳米管阵列及沉积于阵列排列的碳纳米管微孔中的磁性材料组成，该磁性材料受碳纳米管阵列形状之限成柱状体，故该柱状体具较高垂直异向磁性，在垂直方向具有较高的矫顽力，不会受温度变化的影响出现超顺磁现象，本发明的磁存储介质具较高的记录密度，可达6.45×10¹³bit/in²，极大提高信息对存储密度的需求。

主权项

1.一种磁存储介质，包括：一基体，该基体具有均匀排列的微孔阵列；一磁性材料，该磁性材料沉积于基体的微孔阵列内，其特征在于，该基体为碳纳米管阵列，该磁性材料为CoCrXYZ，其中X为钽(Ta)、铌(Nb)或锆(Zr)，Y为铂(Pt)、钯(Pd)或金(Au)，Z为硼(B)、磷(P)、氮(N)或氧(O)。