| 发明名称 | 一种CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种与CMOS工艺兼容的嵌入悬浮螺管结构电感或互感的制作方法，其特征在于首先在硅片的表面电镀出电感或互感的上导线，再利用各向异性腐蚀形成“V”字形或倒梯形的沟槽，在沟槽里面制作电感或互感的下导线，并使下导线与上导线在硅片表面处交叠，形成良好的电连接，最后采用XeF<SUB>2</SUB>气体各向同性干法腐蚀释放出整个线圈结构。电感或互感的线圈由两边的二氧化硅层支撑。本发明采用常温工艺在普通硅片上实现一种高Q值(品质因数)的螺管形电感或高增益的互感，工艺步骤简明、成品率高，整个器件工艺与CMOS工艺相兼容。且器件悬浮的嵌入于硅片内部，有利于封装和后序工艺加工。 | ||
| 申请公布号 | CN100405543C | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200610029276.8 | 申请日期 | 2006.07.21 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 李昕欣;顾磊 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01);H01L21/822(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1.一种与CMOS工艺兼容的嵌入式悬浮螺管结构电感或互感的制作方法，其特征在于首先在硅片的表面电镀出电感或互感的上导线，再利用各向异性腐蚀形成“V”字形或倒梯形的沟槽，在沟槽里面制作电感或互感的下导线，并使下导线与上导线在硅片表面处交叠，形成良好的电连接，最后采用XeF2气体各向同性干法腐蚀释放出整个线圈结构。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||