发明名称 高效率发光二极管及其制造方法
摘要 本发明公开了一种高效率发光二极管及其制造方法。高效率发光二极管至少包括:永久基板;第一及第二接触金属层,分别设于永久基板的相对二表面;接合层设于第二接触金属层上;扩散阻隔层设于接合层上,其中永久基板、接合层、扩散阻隔层为可导电;反射金属层设于扩散阻隔层上;透明导电氧化层设于反射金属层上;发光外延结构设于透明导电氧化层上,其中发光外延结构具有相对的第一及第二表面;以及第二电性复合电极垫设于发光外延结构的第二表面上。
申请公布号 CN101226973A 申请公布日期 2008.07.23
申请号 CN200710002410.X 申请日期 2007.01.17
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 洪详竣
分类号 H01L33/00(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 梁挥;徐金国
主权项 1.一种高效率发光二极管,其特征在于,至少包括:一永久基板,具有相对的一第一表面以及一第二表面,其中该永久基板可导电;一第一接触金属层以及一第二接触金属层,分别设于该永久基板的该第一表面以及该第二表面;一接合层,设于该第二接触金属层上,其中该接合层可导电;一反射接触结构,设于该接合层上;一发光外延结构,设于该反射接触结构上,其中该发光外延结构具有相对的一第一表面以及一第二表面,且该发光外延结构至少包括依序堆栈的一第一电性局限层、一主动层、一第二电性局限层以及一透明电流分散层,该第一电性局限层与该第二电性局限层具有相反的电性;以及一第二电性复合电极垫,设于该发光外延结构的该第二表面的一部分上。
地址 中国台湾新竹市