| 发明名称 | 一种等离子刻蚀工艺的预测与监控方法 | ||
| 摘要 | 本发明所述的一种等离子刻蚀工艺的预测与监控方法，将待检测的数据样本代入设定的主元回归方程得出等离子刻蚀工艺过程的当前的工艺性能指标；再根据当前的等离子刻蚀工艺过程的工艺性能指标确定是否结束种等离子刻蚀工艺过程。能实现工艺进行中Wafer的刻蚀速率以及均匀性的在线监控。 | ||
| 申请公布号 | CN101226383A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200710062847.2 | 申请日期 | 2007.01.18 |
| 申请人 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 发明人 | 张善贵 |
| 分类号 | G05B19/048(2006.01);G06F17/16(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | G05B19/048(2006.01) |
| 代理机构 | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑立明;任红 |
| 主权项 | 1.一种等离子刻蚀工艺的预测与监控方法，其特征在于，包括：A、将待检测的数据样本代入设定的主元回归方程得出等离子刻蚀工艺过程的当前的工艺性能指标；B、根据当前的等离子刻蚀工艺过程的工艺性能指标预测工艺过程的进程，确定是否结束等离了刻蚀工艺过程。 | ||
| 地址 | 100016北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 | ||