| 发明名称 | 具有层或结构识别标记的半导体结构及其制作方法和应用 | ||
| 摘要 | 一种具有层或结构的识别标记的半导体结构，该识别标记用于进行半导体故障分析时准确剥离结构层，该结构包括：器件区，包括栅极氧化层、栅极、接触窗、金属层、通孔及电介质层；测试图案区，包括模拟器件结构和电介质层；层或结构识别标记区，在需要做分析的典型图案附近，包括识别标记和电介质层。利用该识别标记，可以清楚地确定待分析的结构层，从而可以提高故障分析的效率，改善故障分析的设计(design for FA)，改善检测的设计(design for testing)。 | ||
| 申请公布号 | CN101226930A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200710036474.1 | 申请日期 | 2007.01.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郭志蓉;张启华;董伟淳;林育正 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01);H01L23/544(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 李勇 |
| 主权项 | 1.一种具有层或结构识别标记的半导体结构，包括：a)器件区，包括半导体器件结构；b)测试图案区，包括模拟器件结构和电介质层；c)层或结构识别标记区，用与器件结构相同的材料制作的在需要做分析的典型图案附近，具有识别标记和电介质层，用于半导体故障分析时准确剥离结构层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||