| 发明名称 | 虚拟体接触的三栅极 | ||
| 摘要 | 一种场效应晶体管(FET)以及形成所述FET的方法包括衬底(101)；在所述衬底(103)之上的硅锗(SiGe)层(103)；在所述SiGe层(103)之上并邻近所述SiGe层(103)的半导体层(105)；邻近所述衬底(101)、所述SiGe层(103)、以及所述半导体层(105)的绝缘层(109a)；邻近所述绝缘层(109a)的第一栅极结构对(111)；以及在所述绝缘层(109a)之上的第二栅极结构(113)。优选地，所述绝缘层(109a)邻近所述SiGe层(103)的侧表面和所述半导体层(105)的上表面、所述半导体层(105)的下表面、以及所述半导体层(105)的侧表面。优选地，所述SiGe层(103)包括碳。优选地，所述第一栅极结构对(111)基本上相对于所述第二栅极结构(113)是横向的。此外，优选通过所述绝缘层(109a)包围所述第一栅极结构对(111)。 | ||
| 申请公布号 | CN101228634A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200680027090.7 | 申请日期 | 2006.07.21 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | B·A·安德森;M·J·布赖特韦什;E·J·诺瓦克 |
| 分类号 | H01L29/12(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L29/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种场效应晶体管(FET)包括：衬底；硅锗(SiGe)层，在所述衬底之上；半导体层，在所述SiGe层之上并邻近所述SiGe层；绝缘层，邻近所述衬底、所述SiGe层、以及所述半导体层；第一栅极结构对，邻近所述绝缘层；以及第二栅极结构，在所述绝缘层之上。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||