发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明的目的是实现一种具有高可靠性、小芯片面积和低功耗的无线芯片,其中,也防止了在诸如接近天线的情况下的强磁场中内部产生的电压极大增加。利用包含具有预定阈值电压的MOS电容器元件的谐振电路来实现该无线芯片。这样使得能够防止谐振电路的参数在强磁场中、在电压振幅超过预定值的情况下发生变化,从而可以保持无线芯片远离谐振状态。因此,在未使用限幅器电路或恒压产生电路的情况下,防止了过高电压的产生。 |
申请公布号 |
CN101228630A |
申请公布日期 |
2008.07.23 |
申请号 |
CN200680027164.7 |
申请日期 |
2006.05.25 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
加藤清 |
分类号 |
H01L27/04(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/822(2006.01);H04B1/59(2006.01);H04B5/02(2006.01);G06K19/07(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/04(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
付建军 |
主权项 |
1.一种包括谐振电路的半导体器件,所述谐振电路包括:N型MOS电容器元件,其具有-0.1V至-24V范围内的阈值电压;和天线,其被电连接到所述N型MOS电容器元件,其中,所述N型MOS电容器元件的所述阈值电压的绝对值在最小工作电源电压的一半至最大工作电源电压的两倍的范围内,并且其中,通过所述天线来无线发送和接收数据。 |
地址 |
日本神奈川 |