| 发明名称 | 一种高密度电荷存储的铁电电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种高密度电荷存储的新型铁电电容器及其制作方法。本发明利用氢离子注入到铁电薄膜内部，改变原有的铁电特性，形成新的反铁电特性，这种新的反铁电特性能够使得新型铁电薄膜电容器存储以及释放更多的电荷，新的反铁电特性也能改变薄膜相对介电常数特性，使得新型铁电薄膜电容能够应用于需要可变相对介电常数的器件领域。 | ||
| 申请公布号 | CN101226956A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200810033034.5 | 申请日期 | 2008.01.24 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 张燕均;江安全;汤庭鳌 |
| 分类号 | H01L29/00(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/3115(2006.01);H01G4/30(2006.01);H01G4/12(2006.01) | 主分类号 | H01L29/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人 | 陆飞;盛志范 |
| 主权项 | 1.一种高密度电荷存储的铁电电容器，其特征在于电容单元包括：第一电极；在第一电极上设置经过氢离子注入的铁电薄膜层结构；以及在第一电极和铁电薄膜层结构上设置的第二电极。 | ||
| 地址 | 200433上海市邯郸路220号 | ||