6F<SUP>2</SUP>存取晶体管配置和半导体存储器件

摘要

提供了一个存取晶体管的配置，用于具有共享位线接触的6F²堆叠电容器DRAM存储单元的布局。存取晶体管沿半导体线成对排列。各对晶体管的两个晶体管侧面反转朝向各自的公共位线部分。借助一个总是断开的隔离晶体管，每对晶体管与相邻的晶体管对隔开。存取晶体管和隔离晶体管被当作同样的凹进沟道晶体管而形成，具有延长的沟道和增强的隔离性质。对这两类晶体管的接点可提供相同的掺杂浓度。由于同样的器件既提供为存取晶体管，又提供为隔离晶体管，因而降低了光刻图案化工艺的复杂性。

主权项

1.一个存取晶体管配置，它包括：一个半导体衬底；一个第一存取晶体管和一个第二存取晶体管，各存取晶体管都有一个栅极和一个有源区，该有源区在半导体衬底内形成；各有源区包括一个位线接触部分，一个结点接触部分和一个沟道部分，位线接触部分和结点接触部分与衬底的图案表面相邻，而沟道部分把位线接触部分和结点接触部分隔开；以及各栅极部分地被安排在图案表面上方，部分地被安排在凹进沟槽内，凹进沟槽在各自的结点接触部分和各自的位线接触部分之间的衬底内形成，各栅极借助一个栅极电介质与各自的沟道部分隔开，该存取晶体管配置进一步包括：一个排列在第一和第二存取晶体管之间的隔离晶体管，第一和第二存取晶体管侧面反转相对地朝向该隔离晶体管，第一存取晶体管的结点接触部分和第二存取晶体管的结点接触部分与该隔离晶体管相邻；隔离晶体管由隔离栅极线控制，隔离栅极线的一部分被安排在图案表面上方，一部分被安排在隔离沟槽内，并借助一个隔离栅极电介质与衬底隔开，隔离沟槽在第一和第二存取晶体管的结点接触部分之间的衬底内形成。