半导体发光装置

摘要

本发明的发光装置，其特征是包含有：发光元件由其绝缘基板和在该绝缘基板上形成的半导体膜构成，并且在半导体膜的上面附近形成有p型半导体区域和n型半导体区域，发光元件根据在p型半导体区域-n型半导体区域间施加的电压而发光；静电保护元件，其具有与发光元件的p型半导体区域和n型半导体区域分别进行电连接的二个极部，当发光元件的p型半导体区域-n型半导体区域相互之间接受到超过了小于或者等于破坏电压的规定电压的电压时，静电保护元件让电流在二个极部之间流通。

主权项

1.一种发光装置，其特征是包含有：发光元件，具有透明基板、在该透明基板上形成的n型半导体区域、和该n型半导体区域之中的一部分的区域上形成的p型半导体区域，并且发光元件根据在所述p型半导体区域-n型半导体区域间施加的电压而发光；静电保护元件，其具有与所述发光元件的所述p型半导体区域和所述n型半导体区域分别进行电连接的二个极部，所述二个极部为与所述n型半导体区域连接的第一极部、和与所述p型半导体区域连接的第二极部，当所述发光元件的所述p型半导体区域-所述n型半导体区域相互之间接受到超过了小于或者等于破坏电压的规定电压的电压时，静电保护元件让电流在所述二个极部之间流通，所述发光元件和所述静电保护元件处于相互重叠状态，所述静电保护元件，是以从所述第一极部向所述第二极部流通电流的方向为正方向的1个二极管，并且在与所述发光元件相对的面上具有分别连接到所述的第一、第二极部的第一、第二电极，所述发光元件，在所述发光元件的上面具有与所述p型半导体区域连接的p电极和与所述n型半导体区域连接的n电极，所述发光元件的p电极和所述静电保护元件的第二电极之间，以及所述发光元件的n电极和所述静电保护元件的第一电极之间，都通过微型凸柱进行电连接，并且所述透明基板被以与电极形成面相反一侧的面作为上面来放置。