微波激励的等离子体处理设备

摘要

本发明涉及一种微波激励的等离子体处理设备，它具有宽的电压范围和宽的可应用的电功率范围，用于正常放电，其使用通过矩形波导切割的并具有这样的轮廓的缝隙，所述轮廓使得在微波天线的下方的微波引入窗口的正下方能够均匀地形成微波的电场和磁场。所述微波激励的等离子体处理设备的特征在于，具有通过被保持和所述微波引入窗口接触的所述波导的壁切割的4个缝隙，所述4个缝隙分别沿着基本上是正方形的4个边设置。

主权项

1.一种微波激励的等离子体处理设备，用于从微波天线辐射微波并利用微波照射处理气体，以便产生所述气体的等离子体，并使产生的等离子体作用到衬底(3)上，所述设备包括：真空室(1)，其具有穿过其顶壁形成的孔(2)，被设置在所述孔(2)的下方的用于保持衬底(3)的处理台(4)，以及被设置在所述顶壁的所述孔(2)的上方的微波引入窗口(7)，使得保持所述真空室的内部为真空，气体供应管路(6)，用于向所述真空室(1)供应处理气体，抽气系统(5)，用于抽空所述真空室(1)的内部，从而维持所述真空室为真空；以及被设置在所述微波引入窗口(7)上并和微波引入窗口(7)接触的矩形波导(9)，所述矩形波导(9)具有垂直于所述矩形波导(9)中微波的行进方向设置的端面(10)，其特征在于，在被保持和所述微波引入窗口(7)接触的所述波导(9)的壁上提供有4个缝隙(14)，用于形成微波天线，每个缝隙都具有椭圆轮廓，所述4个椭圆缝隙(14)分别沿着四边形的4个边沿设置，所述椭圆缝隙(14)中的两个缝隙平行于微波行进方向延伸，剩余两个椭圆缝隙(14)垂直于微波行进方向延伸，每个缝隙的主轴线被定义为等于真空中的微波的波长(λ0)的k/2，其中k是整数，与所述矩形波导(9)的端面(10)最靠近的缝隙(14)的中心被设在所述矩形波导中距离所述端面(10)等于微波的波长(λg)的n/2的位置，其中n是整数，以及位于与最靠近所述端面(10)的缝隙(14)相对的位置上的缝隙的中心被设在所述矩形波导(9)中距离最靠近所述端面的缝隙(14)等于微波的波长(λg)的m/2的位置，其中m是整数。