| 发明名称 | 钙钛矿锰氧化物异质薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种钙钛矿锰氧化物异质薄膜，包括硅单晶基片(1)、LSMO薄膜(2)、银电极(3)和Fe薄膜(4)，在硅单晶基片(1)是一层Fe薄膜(4)，在Fe薄膜(4)的上面与Fe薄膜(4)垂直是LSMO薄膜(2)，LSMO薄膜(2)的两端是银电极(3)，电极(3)上有引出线；Fe薄膜(4)的长度大于LSMO薄膜(2)的宽度，Fe薄膜(4)的面积大于LSMO薄膜(2)的面积。还公开了上述锰氧化物异质薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法在硅单晶基片上依次沉积Fe和LSMO薄膜。本发明利用铁薄膜的强氧化性，使LSMO薄膜处于高度氧缺陷状态，从而使光电导改变值从400％上升为1660％；另外，用Si作基片制备的LSMO异质薄膜，造价低廉。 | ||
| 申请公布号 | CN100405616C | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200510043069.3 | 申请日期 | 2005.08.08 |
| 申请人 | 西北工业大学 | 发明人 | 金克新;陈长乐;赵省贵 |
| 分类号 | H01L31/00(2006.01);H01G9/20(2006.01);C04B35/00(2006.01) | 主分类号 | H01L31/00(2006.01) |
| 代理机构 | 西北工业大学专利中心 | 代理人 | 黄毅新 |
| 主权项 | 1.一种钙钛矿锰氧化物异质薄膜，其特征在于：包括硅单晶基片(1)、LSMO薄膜(2)、银电极(3)和Fe薄膜(4)，在硅单晶基片(1)上面是一层Fe薄膜(4)，在Fe薄膜(4)的上面与Fe薄膜(4)垂直是LSMO薄膜(2)，LSMO薄膜(2)的两端是银电极(3)，电极(3)上有引出线；Fe薄膜(4)的长度大于LSMO薄膜(2)的宽度，Fe薄膜(4)的面积大于LSMO薄膜(2)的面积。 | ||
| 地址 | 710072陕西省西安市友谊西路127号 | ||