| 发明名称 | 电阻式随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 一种存储器，其包括第一方向上的多条字符线；第二方向上的多条位线，每条位线耦接到至少一条字符线；以及多个存储组件，每个存储组件耦接到一条字符线及一条位线。每个存储组件包括顶电极，连接到对应的字符线；底电极，连接到对应的位线；电阻层，在底电极上；以及至少两个独立的衬垫，每个衬垫的两端具有电阻材料，且每个衬垫耦接于顶电极与电阻层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101226951A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200710154378.7 | 申请日期 | 2007.09.26 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 赖二琨;何家骅;谢光宇 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01);H01L45/00(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/768(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种存储器，其特征在于，包括：第一方向上的多条字符线；第二方向上的多条位线，每条所述位线耦接到至少一条所述字符线；以及多个存储组件，每个所述存储组件耦接到一条所述字符线以及一条所述位线，所述存储组件包括：顶电极，连接到对应的字符线；底电极，连接到对应的位线；电阻层，在所述底电极上；以及至少两个独立的衬垫，每个所述衬垫的两端具有电阻材料，且每个所述衬垫耦接于所述顶电极与所述电阻层之间。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 | ||