| 主权项 |
1.一种功率半导体器件(1)，具有半导体衬底(4)和在阴极侧(21)上形成的阴极金属化(2)和在与阴极侧(21)相反的阳极侧(31)上形成的阳极金属化(3)，所述半导体衬底(4)包括具有不同导电类型的层的四层结构，所述四层结构限定可通过栅电极(5)关断的晶闸管的内部结构，并且，所述四层结构包括：-接触阴极金属化(2)的第一导电类型的外阴极区域(6)；-在与阴极金属化(2)相反的一侧上接触阴极区域(6)的第二导电类型的第一基极层(8)；-在与外阴极区域(6)相反的一侧上接触第一基极层(8)的第一导电类型的第二基极层(9)；和-接触阳极金属化(3)的第二导电类型的外阳极层(7)，所述栅电极(5)布置在阴极侧(21)上并与所述第一基极层(8)电接触，其特征在于，第一基极层(8)包括阴极基极区域(81)和至少一个栅极基极区域(82)，所述阴极基极区域(81)在与阴极金属化(2)相反的一侧上与阴极区域(6)相邻布置并且接触至少阴极区域的中心区域(61)，所述至少一个栅极基极区域(82、82’)与第二基极层(9)相邻布置并邻接阴极基极区域(81)，所述至少一个栅极基极区域(82、82’)在至少一个第一深度处具有与阴极基极区域(81)相同的标称掺杂浓度，上述第一深度为距阴极区域(6)的与阴极金属化(2)相反的一侧的垂直距离，所述至少一个栅极基极区域(82、82’)与栅电极(5)电接触，并具有以下特征中的至少一种：-在至少一个第二深度处具有比阴极基极区域(81)高的掺杂浓度，上述第二深度比所述第一深度大；或者-具有比阴极基极区域(81)大的深度。 |
