| 发明名称 | 一致化凸块接合高度的高频集成电路封装构造及制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种一致化凸块接合高度的高频集成电路封装构造及制造方法，该高频集成电路封装构造主要包含一基板、一多阶段粘晶层、一凸块化晶片以及复数个外接端子。该多阶段粘晶层是形成于该基板上，以粘接该晶片的主动面。复数个凸块是设置于该主动面。当上述凸块键合至该基板的凸块接垫，同时该多阶段粘晶层是粘接该晶片的该主动面。因此，可以一致化上述凸块的接合高度，凸块可为原生配置在晶片焊垫上或为非矩阵排列而不需要重配置线路层，并能提供较短电性传递路径，以符合低成本的高频集成电路封装。 | ||
| 申请公布号 | CN101226910A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200710003631.9 | 申请日期 | 2007.01.18 |
| 申请人 | 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 | 发明人 | 刘光华 |
| 分类号 | H01L23/488(2006.01);H01L23/31(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/56(2006.01) | 主分类号 | H01L23/488(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1.一种一致化凸块接合高度的高频集成电路封装构造，其特征在于包含：一基板，其是具有一第一表面与一第二表面，其中该第一表面上是形成有复数个凸块接垫；一多阶段粘晶层，其是形成于该基板的该第一表面上；一晶片，其是具有一主动面以及复数个在该主动面上的凸块，该晶片是覆晶设置于该基板的该第一表面上，以使上述凸块键合至上述凸块接垫，并且该多阶段粘晶层是粘接该晶片的该主动面；以及复数个外接端子，其是设置于该基板的该第二表面。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||