| 发明名称 | 一种消除多晶硅刻蚀过程出现缝隙的方法 | ||
| 摘要 | 一种消除多晶硅刻蚀过程中出现缝隙的方法，包括如下步骤：步骤1.对多晶硅进行快速高温热退火；步骤2.用等离子轰击为机理的机台对快速高温热退火后的多晶硅进行刻蚀。本发明能有效地解决多晶硅刻蚀后出现缝隙的问题，提高了产量。 | ||
| 申请公布号 | CN101226880A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200710036529.9 | 申请日期 | 2007.01.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陈泰江;王心 |
| 分类号 | H01L21/322(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/322(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1.一种消除多晶硅刻蚀过程中出现缝隙的方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1.对多晶硅进行快速高温热退火；步骤2.对快速高温热退火后的多晶硅进行刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||