| 发明名称 | 具有场屏蔽的半导体结构以及形成该结构的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种半导体结构，其在半导体器件(例如场效应晶体管(FET)或二极管)下面引入场屏蔽。该场屏蔽夹在晶片上的上和下隔离层之间。局部互连延伸穿过上隔离层并且将场屏蔽连接到器件的选定的掺杂半导体区域(例如FET的源/漏区域或者二极管的阴极或阳极)。例如在后段制程充电期间流入器件的电流被局部互连从上隔离层分流出去并且向下流到场屏蔽中。因此，电荷不允许在上隔离层中积累，而是从场屏蔽流到下面的下隔离层和衬底中。该场屏蔽还提供抵抗任何在下隔离层或衬底内变成俘获的电荷的保护性阻挡层。 | ||
| 申请公布号 | CN101226923A | 申请公布日期 | 2008.07.23 |
| 申请号 | CN200810001588.7 | 申请日期 | 2008.01.14 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | E·J·诺瓦克;W·F·小克拉克 |
| 分类号 | H01L23/58(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/861(2006.01);H01L27/12(2006.01);H01L21/00(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/329(2006.01);H01L21/84(2006.01) | 主分类号 | H01L23/58(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;杨晓光 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：衬底；在所述衬底之上的第一隔离层；在所述第一隔离层上的导电衬垫；在所述导电衬垫上的第二隔离层；以及在所述第二隔离层上的具有掺杂的半导体区域的器件，其中所述导电衬垫电耦合到所述掺杂的半导体区域并且与所述衬底电隔离。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||