发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 一种半导体装置及其制造方法,可不使工序复杂,提高安装时的强度及精度。在半导体衬底(10)的背面沿切割线(DL)形成槽(14)。进而形成从半导体衬底(10)的背面到达焊盘电极(11)的通孔(16)。在通孔(16)内形成埋入电极(18),和其连接,形成沿切割线(DL)附近延伸的配线层(19)。在配线层(19)的端部形成导电端子(21)。然后,通过进行沿切割线(DL)的切割,完成在背面端部具有倾斜面1s的半导体装置(1)。在半导体装置(1)通过回流处理与电路衬底(30)连接时,流动性增强的导电膏覆盖导电端子(21)及倾斜面(1s)。在此,在半导体装置(1)外缘的电路衬底(30)上形成含有侧嵌条的导电膏(40a、40b)。
申请公布号 CN100401503C 申请公布日期 2008.07.09
申请号 CN200510073804.5 申请日期 2005.05.24
申请人 三洋电机株式会社;关东三洋半导体股份有限公司 发明人 落合公
分类号 H01L23/055(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L23/52(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L21/301(2006.01) 主分类号 H01L23/055(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 李贵亮;杨梧
主权项 1.一种半导体装置,其载置于电路衬底上,其特征在于,包括:半导体芯片;焊盘电极,其形成于所述半导体芯片的表面上;倾斜面,其从所述半导体芯片的背面端部向该半导体芯片的侧面倾斜;通孔,其从所述半导体芯片的背面贯通到所述焊盘电极的表面;绝缘膜,其形成于所述通孔的侧壁和除所述通孔外的所述半导体芯片的背面上;埋入电极,其经由所述绝缘膜形成于所述通孔中,且和所述焊盘电极电连接;配线层,其经由所述绝缘膜形成在含所述通孔在内的所述半导体芯片的背面上,与所述埋入电极连接,且在所述半导体芯片的所述倾斜面上延伸,所述半导体装置使该电路衬底和所述半导体芯片的背面相对而载置于所述电路衬底上。
地址 日本大阪府