Semiconductor light emitting device

摘要

Es wird ein strahlungemittierendes Halbleiterbauelement angegeben, das eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer zur Strahlungserzeugung vorgesehenen aktiven Zone (2) und einen ersten, der aktiven Zone nachgeordneten Spiegel aufweist, wobei der erste Spiegel eine Metallschicht (4) und eine auf der der aktiven Zone zugewandten Seite der Metallschicht (4) angeordnete Zwischenschicht (3) aus einem strahlungsdurchlässigen und elektrisch leitfähigen Material umfasst, das strahlungemittierende Halbleiterbauelement zum Betrieb mit einem optischen Resonator und zur Erzeugung überwiegend inkohärenter Strahlung als RCLED vorgesehen ist oder das strahlungemittierende Halbleiterbauelement zum Betrieb mit einem externen optischen Resonator und zur Erzeugung überwiegend kohärenter Strahlung als VECSEL vorgesehen ist.