| 发明名称 | 发光二极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种发光二极管，包括：衬底；形成在所述衬底上的化合物半导体层，包括p－n结型发光部分；电导体，设置在所述化合物半导体层上，并且由对于从所述发光部分发射的光光学透明的导电材料形成；以及高电阻层，具有比所述电导体高的电阻，并且设置在所述化合物半导体层与所述电导体之间。在发光二极管灯的结构中，通过金属线接合，使得所述电导体与跨过所述发光层在与所述电导体相反的一侧上的所述半导体层上设置的电极呈现相等的电势。所述发光二极管具有高亮度，并且在静电击穿电压方面优良。 | ||
| 申请公布号 | CN101218687A | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN200680024703.1 | 申请日期 | 2006.07.05 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 竹内良一;松村笃;渡边隆史 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 杨晓光;李峥 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管，包括：化合物半导体层，包括p-n结型发光部分；电导体，设置在所述化合物半导体层上，并且由对于从所述发光部分发射的光光学透明的导电材料形成；以及高电阻层，具有比所述电导体高的电阻，并且设置在所述化合物半导体层与所述电导体之间。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||