| 发明名称 | 太阳能电池及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种太阳能电池(1)包括具有基本掺杂、接收光正面(4)和背面(6)的硅晶片(3)，其设置有叉指状半导体图案，该叉指状半导体图案包括至少一个具有第一掺杂第一扩散区(9)的第一图案和至少一个第二掺杂区(10)的第二图案，第二扩散区(10)与第一扩散区(9)分离并具有与第一掺杂不同的第二掺杂，其中沿着从背面(6)延伸进到硅晶片(3)中的至少一个沟槽(12)的侧面布置每个第二扩散区(10)。 | ||
| 申请公布号 | CN100401532C | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN02823389.1 | 申请日期 | 2002.11.26 |
| 申请人 | 壳牌阳光有限公司 | 发明人 | 阿道夫·闵采尔 |
| 分类号 | H01L31/0248(2006.01);H01L31/0352(2006.01);H01L31/18(2006.01);H01L31/0224(2006.01) | 主分类号 | H01L31/0248(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 朱德强 |
| 主权项 | 1.一种太阳能电池，包括具有接收光正面和背面的硅晶片，其中，硅晶片具有原始厚度，硅晶片还具有基本掺杂，在硅晶片背面设置有叉指状半导体图案，该叉指状半导体图案包括至少一个具有第一掺杂的第一扩散区的第一图案和至少一个第二扩散区的第二图案，第二扩散区与第一扩散区分离并具有与第一掺杂不同的第二掺杂，其中沿着从背面延伸进到硅晶片中的至少一个沟槽的侧面布置每个第二扩散区，其中，硅晶片在所述至少一个沟槽的位置处的厚度比硅晶片在所述至少一个第一扩散区的位置处的原始厚度小。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||