发明名称 |
低温烧结低损耗高频介质陶瓷及制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种低温烧结低损耗高频介质陶瓷,其组成及摩尔百分比含量为:Li<SUB>1+x-y</SUB>Nb<SUB>1-x-3y</SUB>Ti<SUB>x+4y</SUB>O<SUB>3</SUB>,其中0.05<x<0.2,0<y<0.15,在此基础上添加重量百分比为0.5~6%的B<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、1~4%的Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、0.5~3%的CuO和2~10%玻璃粉的其中一至两种;所述玻璃粉组分及重量百分比含量为:40~60%的Pb<SUB>3</SUB>O<SUB>4</SUB>、3~8%的SiO<SUB>2</SUB>、15~30%的Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>、2~7%的ZnO、5~10%的TiO<SUB>2</SUB>和1~5%的H<SUB>3</SUB>BO<SUB>3</SUB>。制备步骤为:(1)配料、球磨;(2)烘干、预烧;(3)二次配料;(4)球磨、烘干、造粒、压制成型、烧成。本发明烧结温度低(900℃以下)、介电损耗低、介电常数高、同时保持了优异的介电性能、并能与高电导率的银金属内电极共烧。 |
申请公布号 |
CN101215159A |
申请公布日期 |
2008.07.09 |
申请号 |
CN200710060654.3 |
申请日期 |
2007.12.28 |
申请人 |
天津大学 |
发明人 |
李玲霞;张平;李国超;王洪茹;张志萍 |
分类号 |
C04B35/465(2006.01);C04B35/495(2006.01);C04B35/645(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/465(2006.01) |
代理机构 |
天津市北洋有限责任专利代理事务所 |
代理人 |
曹玉平 |
主权项 |
1.一种低温烧结低损耗高频介质陶瓷,其特征在于,其组成及摩尔百分比含量为:Li1+x-yNb1-x-3yTix+4yO3,其中0.05<x<0.2,0<y<0.15,在此基础上添加重量百分比为0.5~6%的B2O3、1~4%的Bi2O3、0.5~3%的CuO和2~10%玻璃粉的其中一至两种;所述玻璃粉组分及重量百分比含量为:40~60%的Pb3O4、3~8%的SiO2、15~30%的Bi2O3、2~7%的ZnO、5~10%的TiO2和1~5%的H3BO3。 |
地址 |
300072天津市南开区卫津路92号 |