| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提供具有低缺陷密度以及小弯曲的Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺；例如，根据本发明的工艺包括以下一系列步骤：在蓝宝石衬底(61)上形成金属的Ti膜(63)，随后进行硝化处理，以将其转化为具有精细小孔的TiN膜(64)；然后，在其上生长HVPE－GaN层(66)；通过金属的Ti膜(63)和TiN膜(64)的作用在HVPE－GaN层(66)中形成空腔(65)；从空腔区(65)剥离蓝宝石衬底(61)，以将其去掉。 | ||
| 申请公布号 | CN101217110A | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN200810001918.2 | 申请日期 | 2003.07.01 |
| 申请人 | 日本电气株式会社;日立电线株式会社 | 发明人 | 碓井彰;柴田真佐知;大岛祐一 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01);C23C16/01(2006.01);C23C16/34(2006.01);C30B25/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 关兆辉;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种生产III族氮化物半导体衬底的工艺，特征在于该工艺包括以下步骤：在基底衬底上形成含有金属元素的膜，在含有金属元素的膜上形成其中包括空腔区的III族氮化物半导体层以直接与其接触，以及用所述空腔区作为剥离点剥离所述基底衬底以将其去掉。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||