发明名称 |
半导体存储设备及其方法 |
摘要 |
提供了一种根据外部命令信号和刷新模式而改变存取共享存储区域的存取权限的半导体存储设备及其方法。所述半导体存储设备包括:多个输入/输出端口,用来输入第一或第二模式刷新操作的命令信号;存储阵列,其包括可以通过多个输入/输出端口中的至少两个端口存取的共享存储区域,所述存储阵列划分为多个不同的存储区域;以及授权控制块,用来响应于外部命令信号分配存取所述共享存储区域的存取权限,其中所述授权控制块产生授权控制信号,其用于将存取所述共享存储区域的存取权限优先地分配给用来输入第一模式刷新操作的命令信号的输入/输出端口。能够更高效率地执行所述共享存储区域的刷新操作或普通操作。 |
申请公布号 |
CN101217058A |
申请公布日期 |
2008.07.09 |
申请号 |
CN200710087954.0 |
申请日期 |
2007.01.05 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
吴致成;李镐哲;金南钟 |
分类号 |
G11C11/406(2006.01);G11C11/4078(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/406(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
钱大勇;蒲迈文 |
主权项 |
1.一种半导体存储设备,包括:多个输入/输出端口,用来输入第一或第二模式刷新操作的命令信号;存储阵列,其包括通过多个输入/输出端口中的至少两个端口可存取的共享存储区域,所述存储阵列划分为多个不同的存储区域;以及授权控制块,用来响应于外部命令信号分配存取所述共享存储区域的存取权限,其中所述授权控制块产生授权控制信号,其用于将存取所述共享存储区域的存取权限优先地分配给用来输入第一模式刷新操作的命令信号的输入/输出端口。 |
地址 |
韩国京畿道 |