| 发明名称 | 高熵合金基复合材料及其制备方法 | ||
| 摘要 | 高熵合金基复合材料及其制备方法，它涉及一种合金基复合材料及其制备方法。提供一种高熵合金基复合材料及其制备方法，获得综合性能优于高熵合的复合材料。高熵合金基复合材料按体积百分比由1％～45％的增强相和55％～99％的高熵合金基体制成。高熵合金基复合材料采用原位自生方法或非原位自生方法制备。增强相在高熵合金基体中原位自生或外部加入。本发明在原有的高熵合金基础上进一步提高了材料的力学性能，高熵合金基复合材料的硬度、强度等性能都比复合前显著提高，可最大限度的发挥高熵合金基体的潜能。本发明高熵合金基复合材料可采用多种制备工艺制造，操作简单，易于实施。 | ||
| 申请公布号 | CN101215663A | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN200810063807.4 | 申请日期 | 2008.01.04 |
| 申请人 | 哈尔滨工业大学 | 发明人 | 李邦盛;王艳苹;任明星;杨闯 |
| 分类号 | C22C30/00(2006.01);C22C1/02(2006.01);C22C1/05(2006.01);C22C1/04(2006.01) | 主分类号 | C22C30/00(2006.01) |
| 代理机构 | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 | 代理人 | 单军 |
| 主权项 | 1.高熵合金基复合材料，其特征在于高熵合金基复合材料按体积百分比由1％～45％的增强相和55％～99％的高熵合金基体制成；其中增强相为TiC、TiB2、TiB、B4C、Al2O3、Ti3Al、TiAl、Ti5Si3、Zr2O3、AlN或TiN。 | ||
| 地址 | 150001黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号 | ||