一种用于降低暗电流信号的影像传感器的制造方法

摘要

本发明系关于一种施加一装置隔离技术以降低暗信号之影像传感器及其制造方法。该影像传感器包含一逻辑单元及一光收集单元，该光收集单元中形成有多个光电二极管，其中该等光电二极管互相间以一形成于一基片之一表面下之场离子布植区以及一形成于该基片之该表面上之隔离层所隔离。

主权项

1.一种在一影像传感器中形成一装置隔离结构之方法，该影像传感器包含一光收集单元及一逻辑单元，该方法包含下列步骤：在一基片上该光收集单元的用于隔离的场区域中，形成一隔离层图案；通过执行硅之区域氧化LOCOS技术及浅沟槽隔离STI技术之一，在该逻辑单元的用于隔离的场区域内，形成一装置隔离用隔离层；及在该基片的表面下在该光收集单元的该用于隔离的场区域中，形成一场离子注入区，其中，该形成该隔离层图案之步骤包含下列步骤：堆叠一氧化层及一氮化层于该基片上；形成一掩模图案于该氮化层上，该掩模图案打开该光收集单元之一有源区；通过使用该掩模图案作为一蚀刻掩模，在该氮化层及该氧化层上执行一干蚀刻过程及一后续之湿蚀刻过程；及去除该掩模图案及该氮化层。