一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法

摘要

本发明涉及一种可提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法。该方法是在GaN基半导体材料生长完成后进行，其步骤是向生长完成后的半导体材料注入离子，然后对注入离子后的半导体材料进行热处理。具体是对GaN基材料中的发光区域InGaN/GaN多量子阱层进行一定剂量的质子注入，然后采用快速热退火方式达到增加GaN基半导体材料发光效率的目的。本发明所需采用工艺均属目前微电子的常规工艺技术，实施方法简便。本发明有效地提高了GaN基半导体材料的发光性能，特别是蓝光二极管材料的发光效率，扩大了其在军事和民用等领域的应用范围。

主权项

1.一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法，是在GaN基半导体材料生长完成后进行，其步骤(一)是向生长完成后的半导体材料注入离子；步骤(二)是对注入离子后的半导体材料进行热处理，其特征在于：向生长完成后的半导体材料注入的离子主要分布在InGaN/GaN多量子阱层发光区域中，注入的离子为质子。