| 发明名称 | 包含多晶硅的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种包含多晶硅(poly－Si)的半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括TaN<SUB>x</SUB>材料层以及形成在TaN<SUB>x</SUB>材料层上的poly－Si层。可通过如下步骤来制造包含poly－Si的半导体器件：形成TaN<SUB>x</SUB>材料层；通过在TaN<SUB>x</SUB>材料层上沉积硅并对硅进行退火来形成poly－Si层。 | ||
| 申请公布号 | CN101217157A | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN200810001510.5 | 申请日期 | 2008.01.04 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 鲜于文旭;李正贤;裴炯轸;朴永洙 |
| 分类号 | H01L29/04(2006.01);H01L29/861(2006.01);H01L29/872(2006.01);H01L21/329(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L29/04(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;邱玲 |
| 主权项 | 1.一种包含多晶硅的半导体器件，所述器件包括：TaNx材料层；多晶硅层，在TaNx材料层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||