| 发明名称 | 一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷及其制备方法，采用28％－53％的Nb<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>和5％～31％Ta<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>为初始原料，采用预先合成先驱体的方法制备出(Nb<SUB>1－x</SUB>Ta<SUB>x</SUB>)<SUB>2</SUB>O<SUB>5</SUB>，其中X＝0～0.4，再在先驱体中加入39％～46％的Ag<SUB>2</SUB>O，高温煅烧反应生成Ag(Nb<SUB>1－x</SUB>Ta<SUB>x</SUB>)O<SUB>3</SUB>，X＝0～0.4，再加入4.2％～7.0％的添加剂Bi<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>制备介质陶瓷。本发明的陶瓷材料的烧结温度较低(1060～1130℃)，并且具有极高的介电常数(ε＞700)、较低的介电损耗(tanδ＜10×10<SUP>－4</SUP>)和较高的电阻率(＞10<SUP>12</SUP>Ω·cm)，制备工艺简单，过程无污染。 | ||
| 申请公布号 | CN101215160A | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN200710060578.6 | 申请日期 | 2007.12.29 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 李玲霞;曹丽凤;张平;王洪茹;张志萍 |
| 分类号 | C04B35/495(2006.01);C04B35/64(2006.01);C04B41/88(2006.01);H01G4/12(2006.01) | 主分类号 | C04B35/495(2006.01) |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人 | 刘立春 |
| 主权项 | 1.一种超高介、低损耗的高频介质陶瓷，其特征在于，由基质Ag(Nb1-xTax)O3和添加剂Bi2O3 组成，组分含量为：以Ag(Nb1-xTax)O3的质量为100％，添加剂Bi2O3的质量为Ag(Nb1-xTax)O3 质量的4.2％～7.0％，其中0＜X≤0.4。 | ||
| 地址 | 300072天津市南开区卫津路92号 | ||