| 发明名称 | 包含通过沉积金属氧化物而形成的阈电压控制层的含氮场效应晶体管栅叠层 | ||
| 摘要 | 一种半导体结构，包括在栅介质和栅电极之间的V<SUB>t</SUB>稳定层。该V<SUB>t</SUB>稳定层能够将该结构的阈电压和平带电压稳定到目标值、并包含氮化的金属氧化物或无氮的金属氧化物，其条件是，当所述V<SUB>t</SUB>稳定层包含无氮的金属氧化物时，所述半导体衬底和所述栅介质中的至少一个含氮。本发明还提供制造这种结构的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101218684A | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN200580038832.1 | 申请日期 | 2005.11.01 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | N·A·小博杰尔祖克;C·小伽布拉尔;E·A·卡蒂尔;M·M·弗兰克;E·P·古塞夫;S·古哈;P·C·杰米森;R·詹米;V·纳拉亚南;V·K·帕鲁许里 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01);H01L29/76(2006.01);H01L29/94(2006.01);H01L31/00(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 于静;李峥 |
| 主权项 | 1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，该半导体衬底具有位于其中的源和漏扩散区域，所述源和漏扩散区域被器件沟道隔开；以及位于所述器件沟道上的栅叠层，所述栅叠层包括栅介质、Vt稳定层和栅电极，所述Vt稳定层位于所述栅介质和所述栅电极之间，其能够将所述结构的阈电压和平带电压稳定到目标值、并且包含氮化的金属氧化物或无氮的金属氧化物，其中，当所述Vt稳定层包含无氮的金属氧化物时，所述半导体衬底或所述栅介质中的至少一个含氮。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||