半导体设备的制造方法以及半导体衬底的氧化方法

摘要

提供了一种具有槽的半导体设备的制造方法，以在槽的拐角部分形成氧化膜，该氧化膜比其它部分厚度大且应力小。当形成于半导体衬底中的槽被氧化时，它在含有预定重量百分比的二氯乙烯的氧气气氛中被氧化，以使得形成在槽的拐角部分比其它部分的厚度更大的氧化膜，从而可以得到提高绝缘击穿特性的半导体设备。

主权项

1.一种具有STI区域的半导体设备的制造方法，其中通过刻蚀在半导体区域中形成槽，并且绝缘体填充入槽中，该方法包括以下步骤：准备二氯乙烯；以及将利用二氯乙烯的卤素氧化应用于槽的内部，从而使得靠近槽的开口上端部分的半导体区域的拐角部分的角度比卤素氧化之前的角度圆，其中氧气气氛中二氯乙烯的浓度按重量计算在0.45％至1.97％的范围内。