| 发明名称 | 形成应变沟道元件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种形成应变沟道元件的方法，所述形成应变沟道元件的方法包括：图形化一位于一基底上的掩膜，以定义一源极凹陷和一漏极凹陷于该基底中，该源极凹陷和该漏极凹陷定义一位于其间的沟道区；回蚀刻部分该定义为该源极凹陷和该漏极凹陷的基底；形成一应力产生材料，于该源极凹陷和该漏极凹陷中；及形成一栅极于该沟道区上方；其中，该应力产生材料和该基底具有不同的晶格常数。本发明是保存应变沟道元件的完整栅极结构。特别是，可避免或是减少栅极结构的损坏。 | ||
| 申请公布号 | CN100401530C | 申请公布日期 | 2008.07.09 |
| 申请号 | CN200510085273.1 | 申请日期 | 2005.07.22 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 黄怡君;王焱平;柯志欣 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种形成应变沟道元件的方法，所述形成应变沟道元件的方法包括：图形化一位于一基底上的掩膜，以定义一源极凹陷和一漏极凹陷于该基底中，该源极凹陷和该漏极凹陷定义一位于其间的沟道区；回蚀刻部分该定义为该源极凹陷和该漏极凹陷的基底；形成一应力产生材料，于该源极凹陷和该漏极凹陷中；及形成一栅极于该沟道区上方；其中，该应力产生材料和该基底具有不同的晶格常数。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||