发明名称 薄膜晶体管阵列衬底及其金属层的制作方法
摘要 一种薄膜晶体管阵列衬底及其金属层的制作方法,包括:首先提供一个衬底,并以电镀方式在衬底上形成图案化的第一金属层;之后在衬底上形成一个栅绝缘层,且栅绝缘层会将第一金属层覆盖住;然后在第一金属层上方的栅绝缘层上形成一个半导体层;且在半导体层上形成图案化的第二金属层。其中,第一金属层、第二金属层与半导体层在衬底上构成多个薄膜晶体管以及耦接至那些薄膜晶体管的多条扫描布线与多条数据布线。
申请公布号 CN100401466C 申请公布日期 2008.07.09
申请号 CN200510072839.7 申请日期 2005.05.23
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 姚启文;虞佩信
分类号 H01L21/00(2006.01);G02F1/1368(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 王英
主权项 1.一种薄膜晶体管阵列衬底的制作方法,包括:提供一个衬底;在该衬底上形成图案化的一个第一电镀种子层;在该衬底上形成一个绝缘材料层,以覆盖该第一电镀种子层;在该绝缘材料层上形成一个光刻胶层;以该第一电镀种子层为掩膜,由该衬底的另一侧对该光刻胶层进行背向曝光;对该光刻胶层进行显影;以该光刻胶层为掩膜,对该绝缘材料层进行蚀刻,以暴露出该图案化的第一电镀种子层;以电镀方式,在该衬底上形成图案化的一个第一金属层;移除该光刻胶层;在该衬底上形成一个栅绝缘层,且该栅绝缘层覆盖该第一金属层;在该第一金属层上方的该栅绝缘层上形成一个半导体层;以及在该半导体层上形成图案化的一个第二金属层,其中该第一金属层、该第二金属层与该半导体层在该衬底上构成多个薄膜晶体管以及耦接至该些薄膜晶体管的多条扫描布线与多条数据布线。
地址 中国台湾新竹