半导体器件及其制作方法

摘要

本发明包括一个或多个引线和MIM电容器，后者是由连接引线上表面的下电极与上电极电容耦合而成的。下电极是由防止引线材料扩散的材料制成的，它包住引线。

主权项

1.一种半导体器件，包括：一条或多条引线；电容器，由连接所述引线的下电极与上电极电容耦合形成；和与所述上电极相连的第一柱塞，以及与位于下电极下方的引线相连的第二柱塞；其中下电极的下表面和位于下电极下方的所述引线的上表面相连，下电极由防止所述引线材料扩散的材料构成并包住所述引线；以及在上电极上形成止蚀膜，所述止蚀膜的腐蚀速率至少低于覆盖所述电容器的层间绝缘膜的腐蚀速率。