形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法

摘要

本发明涉及一种形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法，具体为一种在具有主动区域的基底上形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法。该方法首先至少在栅极的第一部分上形成金属硅化物。并于该主动区域及该栅极上沉积金属。执行退火程序，使得该金属反应而在该主动区域上形成金属硅化物。本发明所述方法提供金属硅化过程中，对于栅极电极高度可更佳的控制，且可较低的栅极电极电阻、提高元件速度、降低或防止栅极电极的渗硼、及降低或消除耗尽效应，且避免了高阶面漏电流或尖突。

主权项

1.一种在具有主动区域的基底上形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法，其特征在于所述在具有主动区域的基底上形成场效应晶体管的金属硅化栅极的方法包括：形成一遮蔽层于该主动区域上，其中该遮蔽层露出栅极的顶部；沉积一第一金属层于该基底上，其覆盖于该遮蔽层及该栅极露出的顶部部分；执行第一退火程序以将栅极全部硅化形成第一金属硅化物，其中该遮蔽层用以防止沉积于该遮蔽层的该第一金属层与该主动区域反应；在该主动区域及该栅极上沉积第二金属层；以及执行第二退火程序，使得该第二金属层与该基底反应而在该主动区域上形成第二金属硅化物。