DEVELOPPEMENT D'UN MICRO-ACTIONNEUR D'ENTRAINEMENT PAR FROTTEMENT IMPULSIONNEL A TENSION D'ALIMENTATION FAIBLE AU MOYEN D'UNE PLAQUETTE EN SILICIUM ULTRA-BASSE RESISTIVITE

摘要

Sur la base de la théorie de la division de tension, on propose un nouveau procédé pour diminuer la tension d'alimentation d'un micro-actionneur d'entraînement par frottement impulsionnel (SDA) en utilisant une plaquette en silicium ultra-basse résistivité (20) en tant que substrat. Le SDA fabriqué sur la plaquette en silicium ultra-basse résistivité présente une tension d'alimentation plus faible de seulement 4 à 12 Vo-p. Le SDA classique qui utilise une plaquette en silicium normale a besoin d'une tension d'alimentation plus élevée (de 30 à 75 Vo-p) et par conséquent, il présente une possibilité d'utilisation plus faible pour des applications commerciales. On propose un nouveau procédé de réalisation de SDA pour surmonter la limitation de largeur de ligne de 2 µm inhérente d'un aligneur de masque classique avec une source de lumière d'une longueur d'onde UV de 4360 A (ligne g) et pour réduire en outre la tension d'alimentation de SDA.