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Es werden Verfahren und Schaltungsanordnungen zum Verbessern des Ausgleichens von Leseknoten eines Leseverstärkers in einem Halbleiterspeicherbauelement bereitgestellt. Wenn ein Speicherarraysegment auf einer Seite eines Leseverstärkers eine Bitleitungsleckstromanomalie aufweist, wegen der der Leseverstärker isoliert werden soll, wenn sich dieser Speicher in einem nicht ausgewählten Zustand befindet, wird die Isolation des Leseverstärkers von dem Speicherarraysegment beim Übergang von einem ausgewählten Zustand des Speicherarraysegments in einen nicht ausgewählten Zustand des Speicherarraysegments verzögert. Die Dauer der Verzögerung reicht aus, um Zeit für den Ausgleich der Leseknoten des Leseverstärkers zu gestatten, bevor der Leseverstärker von dem Speicherarraysegment isoliert wird.
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