Herstellungsverfahren für eine integrierte Halbleiterstruktur und entsprechende Halbleiterstruktur

摘要

Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine integrierte Halbleiterstruktur mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) mit einer Hauptoberfläche (OS); Bilden einer Verdrahtungsmetallschicht (M0) oberhalb der Hauptoberfläche (OS); Bilden einer dotierten Getterschicht (GL; GL') auf der Verdrahtungsmetallschicht (M0) und Bilden zumindest einer zusätzlichen Verdrahtungsmetallschicht (M1) auf der dotierten Getterschicht (GL; GL'). Die vorliegende Erfindung schafft ebenfalls eine entsprechende integrierte Halbleiterstruktur und eine Halbleiterspeichervorrichtung.