多位准存储单元的操作方法

摘要

一种多位准存储单元的操作方法，其中多位准存储单元包括第一导电型基底、控制栅、电荷储存层及二第二导电型源/漏极区。此操作方法包括将第一型电荷注入电荷储存层的抹除步骤，以及程序化步骤。此程序化步骤包括在基底上施加第一电压，在二源/漏极区上施加第二电压，并在控制栅上施加第三电压。其中，第一第二电压的差足以在基底中产生频带穿隧热电洞，且第三电压可使第二型电荷注入电荷储存层中。此第三电压可有2ⁿ－1(n≥2)种，以将该多位准存储单元程序化至2ⁿ－1个储存态中的一预定储存态。

主权项

1.一种多位准存储单元的操作方法，该多位准存储单元包括一第一导电型基底、一控制栅、该基底与该控制栅之间的一电荷储存层，以及该基底中的二第二导电型源/漏极区，该操作方法包括将第一型电荷注入该电荷储存层中的一抹除步骤，以及一程序化步骤，其中该程序化步骤是利用双边偏压-频带穿隧热电洞效应来进行，其特征在于，包括：在该基底上施加一第一电压，在该二源/漏极区上施加一第二电压，且在该控制栅上施加一第三电压，其中该第一电压与该第二电压的差足以在该基底中产生频带穿隧热电洞，且该第三电压可使第二型电荷注入该电荷储存层中，该第三电压可有2n-1(n≥2)种，以将该多位准存储单元程序化至2n-1个储存态中的一预定储存态。