| 发明名称 | 半导体存储装置及其编程方法 | ||
| 摘要 | 根据本发明的半导体存储装置具有储存单元，该储存单元包括：层间绝缘膜、嵌入到层间绝缘膜中的下电极层、以及设置在层间绝缘膜上的记录层和上电极层。当向储存单元传送预定的电流时，通过大体上超过熔点来加热记录层，并且在记录层和下电极层之间的界面附近形成腔体。结果，将记录层与下电极层物理分离，并且没有电流流过储存单元。当将记录层与下电极层物理分离时，这些层不会再次回到接触状态。因此，可以不可逆地存储信息。 | ||
| 申请公布号 | CN101211656A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710160123.1 | 申请日期 | 2007.12.24 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 中井洁 |
| 分类号 | G11C11/56(2006.01);G11C29/44(2006.01);G11C17/18(2006.01) | 主分类号 | G11C11/56(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 孙纪泉 |
| 主权项 | 1.一种半导体存储装置，包括：记录层，包括其电阻可以可逆改变的可变电阻材料；电极层，与记录层接触；写入电路，通过使电流流经其中而将记录层与电极层物理分离；以及检测电路，检测记录层和电极层之间的连接状态。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||