用于在半导体器件中形成精细图案的方法

摘要

本发明公开一种用于在半导体器件中形成精细图案的方法。在一方面，所述方法可以在半导体器件中构造精细图案。所述精细图案具有克服曝光设备的分辨率限制的临界尺寸。

主权项

1.一种用于在半导体器件中形成精细图案的方法，所述方法包括：提供半导体基板；在所述半导体基板之上形成目标层，并且在所述目标层之上形成硬掩模层；在所述硬掩模层之上形成第一氧化膜图案，并且在所述第一氧化膜图案之上形成氮化膜图案，由此选择性地露出所述硬掩模层的一部分；在所述硬掩模层的露出部分、所述第一氧化膜图案以及所述氮化膜图案之上形成具有第一厚度的第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层之上形成具有第二厚度的第二氧化膜；在所述第二氧化膜之上形成具有第三厚度的第二多晶硅层；平坦化所述第二多晶硅层、所述第二氧化膜以及所述第一多晶硅层，直到所述氮化膜图案露出为止；移除所述氮化膜图案以露出所述第一氧化膜图案；根据在氧化物材料与多晶硅材料之间的蚀刻选择性来蚀刻所述第一氧化膜图案及所述第二氧化膜；利用所述第一多晶硅层以及所述第二多晶硅层的顶部作为蚀刻掩模来蚀刻所述硬掩模层，以形成硬掩模层图案；以及利用所述硬掩模层图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述目标层，以形成所述精细图案。