发明名称 具晶粒接收通孔的半导体影像元件封装结构及其方法
摘要 本发明揭露一种具晶粒接收通孔的半导体影像元件封装结构及其方法,所述的封装结构包含,基板,其具有晶粒接收通孔、连接通孔结构及第一接触垫;晶粒,其具有微透镜区域且配置于晶粒接收通孔内;透明盖,其覆盖微透镜区域;周围材料,其形成于晶粒下方且填充于晶粒与晶粒接收通孔侧壁间的间隔内;介电层,其形成于晶粒及基板上;重分布层(RDL),其形成于介电层上且耦合至第一接触垫;保护层,其形成于重分布层上;以及第二接触垫,其形成于基板的下表面且于连接通孔结构的下方。本发明提供的扩散型晶圆级封装(FO-WLP)结构具有良好热膨胀系数(CTE)表现及锐减的尺寸,且亦提供较佳的电路板级温度循环测试可靠度。
申请公布号 CN101211945A 申请公布日期 2008.07.02
申请号 CN200710300834.4 申请日期 2007.12.29
申请人 育霈科技股份有限公司 发明人 杨文焜;张瑞贤;王东传
分类号 H01L27/146(2006.01);H01L23/48(2006.01);H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01) 主分类号 H01L27/146(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 任默闻
主权项 1.一种半导体元件封装结构,其特征在于,所述的半导体元件封装结构包含:一基板,具有一晶粒接收通孔、一连接通孔结构及一第一接触垫;一晶粒,具有一微透镜区域且配置于所述的晶粒接收通孔内;一周围材料,形成于所述的晶粒下方且填充于所述的晶粒与所述的晶粒接收通孔的侧壁间的间隔内;一介电层,形成于所述的晶粒及所述的基板上,以暴露所述的微透镜区域;一重分布层,形成于所述的介电层上且耦合至所述的第一接触垫;一保护层,形成于所述的重分布层上;以及一第二接触垫,形成于所述的基板的下表面且于所述的连接通孔结构的下方。
地址 台湾省新竹县