沉浸式光刻系统的投影系统

摘要

一种沉浸式光刻系统的投影系统，包括：投影透镜；液体池；液体供给装置；气体喷淋装置以及衬底传送装置。所述气体喷淋装置包括输入载流气体的第一输入端、输入异丙醇的第二输入端及输出来自第一输入端的载流气体和来自第二输入端的热的异丙醇的混合气体的输出端，所述载流气体为氮气或者惰性气体。本发明通过在高分子聚合物层上喷射载流气体和热的异丙醇气体以限制液体供给装置在投影透镜和位于半导体衬底上的高分子聚合物层之间的液体池，由于异丙醇为疏水性，把半导体衬底上的高分子聚合物层转变为疏水性，使得硅片在移动速度即扫描速度增加，同时由于热的异丙醇气体使得残留在高分子聚合物层上的液体蒸发更快，曝光后无需进行烘烤工艺。

主权项

1.一种沉浸式光刻系统的投影系统，包括：投影透镜，用于把掩模版的图形按比例缩小投影到半导体衬底上的高分子聚合物层；液体池，位于投影透镜的曝光场中，作为投影透镜的曝光媒介；液体供给装置，位于投影透镜的两侧，用于提供液体池；气液体喷淋装置，位于液体供给装置的外围，用于形成气体帘限制液体池的液体外流；衬底传送装置，位于气液体喷淋装置、液体供给装置以及液体供给装置产生的液体池下，用于装载和传送半导体衬底，所述衬底传送装置上的半导体衬底上形成有高分子聚合物层；其特征在于，所述气体喷淋装置包括输入载流气体的第一输入端、输入异丙醇气体的第二输入端及输出来自第一输入端的载流气体和来自第二输入端的异丙醇气体的混合气体的输出端，所述载流气体为氮气或者惰性气体，所述异丙醇气体的温度范围为30至110℃。