一种互补式金属氧化层半导体磁传感器

摘要

本发明涉及用于信息采集系统的磁传感器技术领域，公开了一种CMOS磁传感器，包括：一偏置电路，用于为MagFET电流镜和差分放大器提供直流工作点；一MagFET电流镜，用于将磁信号转换为双端电信号，并输出给差分放大器；一差分放大器，用于将MagFET电流镜输入的双端电信号转换为单端信号并把信号放大，输出给压控振荡器；一压控振荡器，用于将差分放大器输入单端信号转换为频率信号输出。利用本发明，大大降低了功耗，提高了灵敏度。

主权项

1.一种互补式金属氧化层半导体CMOS磁传感器，其特征在于，该磁传感器包括：一偏置电路，用于为磁场感应场效应晶体管MagFET电流镜和差分放大器提供直流工作点；一MagFET电流镜，用于将磁信号转换为双端电信号，并输出给差分放大器；一差分放大器，用于将MagFET电流镜输入的双端电信号转换为单端信号并把信号放大，输出给压控振荡器；一压控振荡器，用于将差分放大器输入单端信号转换为频率信号输出。