| 发明名称 | 具有金属互连的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体器件及用于制造半导体器件的金属互连的方法。上述方法包括以下步骤：在包含下部互连的半导体衬底上形成电介质层，在层间电介质层中形成暴露出下部互连的沟槽，在沟槽中和在层间电介质层上形成扩散阻挡件，在扩散阻挡件上形成铜籽晶层，将金属掺杂剂注入铜籽晶层内，在内部注入了金属掺杂剂的铜籽晶层上形成铜金属互连，以及由铜籽晶层和金属掺杂剂形成合金层。 | ||
| 申请公布号 | CN101211822A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710153722.0 | 申请日期 | 2007.09.14 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 李汉春 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/532(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郑小军 |
| 主权项 | 1.一种用于制造金属互连的方法，包括以下步骤：在包含下部互连的半导体衬底上形成电介质层；在所述电介质层中形成暴露出所述下部互连的沟槽；在所述电介质层上和所述沟槽中形成扩散阻挡件；在所述扩散阻挡件上形成铜籽晶层；将金属掺杂剂注入所述铜籽晶层内；在内部注入了所述金属掺杂剂的所述铜籽晶层上形成铜金属互连；及由所述铜籽晶层和所述金属掺杂剂形成合金层。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||