| 发明名称 | 晶片清洗工艺以及形成开口的方法 | ||
| 摘要 | 一种晶片清洗工艺，适用于在一晶片上进行一蚀刻工艺之后进行。其中晶片具有一晶片圆心、一晶片半径以及一晶片边缘。而此方法包括以一喷嘴传导一清洗溶液至晶片上方，且同时喷嘴以晶片圆心为一中心，沿着一移动路径，于晶片圆心的附近上方来回移动。 | ||
| 申请公布号 | CN100399502C | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200510109786.1 | 申请日期 | 2005.09.20 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 陈博仁 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3105(2006.01);B08B3/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种晶片清洗工艺，适用于在一晶片上进行一蚀刻工艺之后进行，其中该晶片具有一晶片圆心、一晶片半径以及一晶片边缘，该方法包括：以一喷嘴传导一清洗溶液至该晶片上方，且同时该喷嘴以该晶片圆心为一中心，沿着一移动路径，在以该晶片圆心向四周的该晶片边缘延伸0％-30％的该晶片半径所形成的一区域中，来回移动。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||