超薄芯片尺寸封装结构及其方法

摘要

本发明揭露超薄芯片尺寸封装结构及其方法。超薄芯片尺寸封装结构包含基板；晶圆，其附有具复数接合垫的复数个晶粒；第一介电层；穿透导电层；第二介电层；重分布层导线；以及导电凸块，其依序形成于晶圆上。本发明因将封装结构的尺寸最小化，故可提供超薄芯片尺寸封装结构。特别是用于制造超薄芯片尺寸封装的方法包含切割晶圆，背面研磨晶圆的背侧，以及蚀刻基板的背侧，以提供超薄芯片尺寸封装结构。因此，本发明可最小化封装结构尺寸以及有效改善制造工艺。

主权项

1.一种超薄芯片尺寸封装结构，其特征在于，所述的超薄芯片尺寸封装结构包含：一基板；复数晶粒，其具有复数接合垫形成于其上；一第一介电层，其形成于所述的复数晶粒上以暴露所述的接合垫的部分表面；一连通导电层，其填充所述的第一介电层间的空隙内；一重分布层导线，其形成于所述的连通导电层及所述的第一介电层上；一第二介电层，其形成于所述的第一介电层及所述的重分布层导线上以暴露所述的重分布层导线的部分表面；复数导电凸块，其形成于所述的第二介电层间的空隙上；以及一覆盖保护层，其形成于所述的基板之下；其中所述的复数导电凸块透过所述的连通导电层及所述的复数重分布层导线而电性连接至所述的接合垫。